高低溫試驗屬于氣候類環(huán)境可靠性試驗中比較常見的檢驗項目之一,高低溫試驗首要模仿干熱和干冷大氣環(huán)境,如夏天的天熱,冬季的天冷。高低溫試驗首要查核產品在作業(yè)狀態(tài)下或貯存狀態(tài)下產品的功用功用是否產生降低和改動,首要查核產品的高低溫耐受才干。
試驗內容:
低溫工作、低溫貯存、高溫工作、高溫貯存、低溫啟動、高溫啟動、高低溫循環(huán)、溫度沖擊、高溫壽命、高溫老化等。
高低溫試驗是用來承認產品在溫濕度氣候環(huán)境條件下貯存、運送、運用的適應性。
高低溫試驗的嚴苛程度取決于高/低溫、濕度和曝露繼續(xù)時間。
高低溫可靠性試驗服務領域:
高低溫試驗箱用于工業(yè)產品高、低溫的可靠性試驗。對電子電工、轎車摩托、航飛系統、船只兵器、高等院校、科研單位等相關產品的零部件及資料在高、低溫循環(huán)改動的情況下,查驗其各項功用指標。
高低溫試驗方法:
預處理:將被測樣品放置在正常的試驗大氣條件下,直至達到溫度穩(wěn)定。
初步檢測:將測試樣品與標準要求進行比較,滿足要求后直接放入高低溫試驗箱。
樣品斷電時,試驗樣品應按標準要求放置在試驗箱內,試驗箱(室)內溫度應降至-50℃,保持4小時;不要在樣品通電狀態(tài)下進行低溫測試,這一步非常重要,因為芯片本身在通電狀態(tài)下會產生20℃因此,在通電狀態(tài)下,通常更容易通過低溫試驗,須先凍透,再通電試驗。
在低溫階段結束后5min將試驗樣品轉換為已調整的樣品90℃保持在高溫試驗箱(室)內4h或者直到測試樣品達到溫度穩(wěn)定,與低溫測試相反,加熱過程不斷電,芯片內部溫度保持高溫,4小時后執(zhí)行A、B測試步驟。
進行老化測試,觀察是否存在數據對比錯誤。
高溫和低溫試驗分別重復10次。
重復上述實驗方法,以完成三個循環(huán)。根據樣品的大小和空間的大小,時間可能略有誤差。
恢復:試驗樣品從試驗箱中取出后,應在正常試驗大氣條件下恢復,直至試驗樣品達到溫度穩(wěn)定。
實驗室制度按照CNAS授權檢測范圍基礎標準GB/T 2423.1-2008《電工電子產品環(huán)境試驗 第 2 部分:試驗方法 試驗 A:低溫》 和 GB/T 2423.2-2008《電工電子產品環(huán)境試驗 第 2 部分:試驗方法 試驗 B:高溫》標準進行高低溫工作、高低溫貯存、干冷干熱、溫度變化、高溫老化、高溫壽命、高低溫耐受性試驗技術服務,出具帶有CNAS、CMA第三方檢測報告。
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